如上图所示，2006年(以及2007年第一季度)内存产品在三星的IC销售额中所占比例高于六年前的2000年。虽然该公司的内存市场占有率上升是造成这种局面的因素之一，但它在逻辑市场中的欠佳表现也必须要被指出。
从2000年到2006年，全球内存市场的复合年增率只有3%。相比之下，三星的内存销售额同期复合年增率为12%，是全球市场增长率的四倍！但是，三星的逻辑IC销售额的同期复合年增率只有5%，是全球逻辑市场增长率10%的一半。
预计三星将会继续努力降低自己对于内存市场的依赖。该公司最近大张旗鼓地进入主流IC代工领域，表明了它使业务多元化的愿望。但值得指出的是，三星分配给System LSI部门(即它的非内存部门)的资本支出在下降，2006年从2005年的9.63亿美元降至7.73亿美元。实际上，三星2007年给System LSI的预算只有5.68亿美元，两年来减少了40%。
虽然三星半导体部门(Samsung Semiconductor)解决了产品线多元化的问题，但它对于与三星电子之间的内部交易的依赖上升。如下图所示，过去四年里该公司IC内部交易额增长了两倍以上。整体看来，内部交易目前约占三星总体IC销售额的13%，高于2002年时的9%，该比例上升还在于三星电子在手机市场所取得的成功。
1月25日，业内有消息指出，美光科技正在解散150人左右规模的上海研发中心，并挑选了40多位核心研发人员提供移民技术美国的资格。针对上述消息，记者在向多位美光前员工与在职员工求证后获悉，美光此次并非解散整个上海研发中心，而是仅仅解散了DRAM设计部门，该部门总人数超过100人。除了该团队，美光上海研发中心还包括销售、测试等多个部门。另外，美光目前在西安的工厂也不可能会发生其他异动，该厂主要开展集成电路装配与测试以及DRAM模块制造。美光员工透露，上海的DRAM设计团队的解散将于今年内完成，企业来提供技术移民美国资格的消息属实，部分核心员工将可以携带家属一同移民至美国，目前仍无法确定有多少员工会选择移民。某半导体行业高管评论称，美光
韩国投资机构KB Securities最新报告说明，中国西安的封锁措施应该会扰乱物流和DRAM/NAND生产。因此看到2022年上半年供需动态改善，这应该会改善芯片价格的前景。据该机构分析，三星电子已开始降低其西安工厂的晶圆投入，美光工厂的产能利用率也在下降，DRAM封测产线的工人已减少到正常水平的50%，减产应该会促使主要设备制造商增加库存，对上半年的价格谈判产生积极的影响。相较于市场研究中心预测的季度降幅为10-15%，KB Securities预计第二季度DRAM价格将下降8%左右。
昨（3）日下午17时46分在中国台湾东部海域发生芮氏规模约6.0地震，据市调机构集邦咨询（TrendForce）初步调查的最终结果显示，中国台湾DRAM与晶圆代工厂并无重大机台损害，生产方面正常运行，实际影响有限。据悉，在DRAM方面，中国台湾占全球产能约21%，包含中国台湾美光晶圆科技、南亚科以及其他较小型厂房的综合产出；晶圆代工方面，中国台湾占全球产能高达51%，包含台积电联电、世界先进与力积电等公司的综合产出。日前，台积电在地震发生后表示，目前各厂区未传出任何灾情，人员也没有疏散，生产作业一切正常；联电方面也表示，新竹和台南的产线皆没有受到影响。
一、关于DRAM上一章我们讲解了如何对代码进行重定位，但是将代码重定位到只有256K IRAM中作用不大。正确的做法是将代码重定位到容量更大的主存中，即DRAM。Exynos4412中有两个独立的DRAM控制器，分别叫DMC0和DMC1。DMC0和DMC1分别支持最大1.5G的DRAM，它们都支持DDR2/DDR3和LPDDR2等，512 Mb, 1 Gb, 2 Gb, 4 Gb and 8 Gbit的内存设备，支持16/32bit的位宽。DRAM0 对应的地址是0x4000_0000~0xAFFF_FFF共1.5GB，DRAM1 对应的地址是0xA000_000~0x0000_0000共1.5GB。图7-1、DRAM
一、实验原理上一章已经解释的很清楚了，如何将所要运行的user_bin程序定位到DRAM中，这一章要进行重定位到DRAM后运行LCD程序，实际上一章中BL2中程序能不用改动，直接重写我们的USER目录下的程序即可，将USER目录下的LED灯闪烁程序用LCD程序替换就行，最后编译出的程序名字也叫user_bin.bin即可，这样也可以用上一章中的fast_fuse.sh进行烧写到SD卡运行。1、LCD控制器Exynos4412的LCD控制器能够最终靠编程支持不同LCD屏的要求，例如行和列像素数，数据总线宽度，接口时序和刷新频率等。LCD控制器的最大的作用，是将定位在系统存储器中的显示缓冲区中的LCD图像数据传送到外部LCD驱动
及LCD实验 /
据美光科技官网消息，联发科已率先验证美光 LPDDR5X DRAM，并将用在天玑 9000 5G 旗舰芯片组上。据了解，美光 LPDDR5X 专为高端和旗舰级智能手机设计，其传输速率峰值为 8.533 Gb/s，较上一代 LPDDR5 提升33%。美光资深副总裁兼移动事业部总经理 Raj Talluri 表示，“创新且先进的智能手机体验需要仰赖存储技术，以满足移动市场的庞大频宽需求。与联发科携手验证全球最先进的移动存储，助ECO得以为手机研发出由 5G 和 AI 所强化的新一波丰富功能”。联发科副总兼无线通讯事业部总经理徐敬全表示：“为因应5G时代复杂且需要大量数据的应用程序，我们的移动电子设备客户对频宽的需求日渐提升。美光
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